Жидкостное химическое травление

  • Добавили01.05.1996
  • Размер126,98 Kб
  • Скачали746
Сколько стоит заказать работу?

При жидкостном травлении металлов происходят окислительно-восстановительные реакции, а в случае неорганических оксидов - реакции замещения кислотно-основные. Травление SiO2. Амфорный или плавленый кварц это материал, в котором каждый атом кремния имеет тетраэдрическое окружение из четырех атомов кислорода.

В стеклообразных материалах могут сосуществовать как кристаллическая, так и аморфная фазы. Напыленный кварц представляет собой аморфный SiO2 из тэтраэдров SiO4. В процессе реакции травления элементарный фтор может легко замещать атом О в SiO2, так как фтор обладает меньшим ионным радиусом 0.

14 нм, чем SiO 16 нм. Энергия связи SiF в 1. 5 раза превышает энергию связи SiO.

Ниже перечислены основные достоинства аморфных пленок SiO2, применяемых в полупроводниковой электронике 1 хорошая диэлектрическая изоляция 2 барьер для ионной диффузии и имплантации 3 низкие внутренние напряжения 4 высокая степень структурного совершенства и однородности пленки 5 использование в качестве конформных покрытий, включая и покрытия ступенек 6 высокая чистота, однородная плотность и отсутствие сквозных пор. Аморфный SiO2 различных типов получают методами химического осаждения из паровой фазы, распыления, окисления в парах воды. Из-за внутренних напряжений оксиды, осажденные различными способами, имеют различия в строении ближнего порядка, которые влияют на скорость травления табл.

3. Таблица 3. Скорости травления SiO2 в буферном растворе 71 HF.

Метод получения оксида Относительная скорость травления мкммин Термоокисление в парах воды1 Анодный рост Пиролитический Распыление Легированный оксид 1. 0 8. 5 3-10 0.

5 3-51 Примерно 0. 1 мкммин 20оС. Травление SiO2 в водном растворе HF через фоторезистную маску протекает изотропно благодаря эффекту подтравливания, который усиливается частичным отслаиванием резиста.

Почти анизотропные вертикальные профили могут быть получены при использовании твердой и свободной от напряжений масок из Si3N4 рис. 9. Косые кромки получают при использовании 301 по весу раствора .

Скачать
Реферат Химия 16.06.2009

Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала...

«Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела» Минск, 2008 В соответствии с применяемыми средствами очистку делят на жидкостную и сухую. Жидкостная очистка выполняется органическими

Реферат Радиоэлектроника 02.07.2009

Технология изготовления СВЧ на ККБ "Искра"

Высокая надежность, устойчивость к разнообразным воздействиям, хорошая воспроизводимость параметров и низкая стоимость при массовом производстве, малые масса и габаритные размеры при требуемых электрических характеристиках. Возможность практически полной

Курсовая Металлургия 05.06.2007

Ковка металлов

Министерство Образования Российской Федерации Шуйский Государственный Педагогический Университет Кафедра Технологии Курсовая Работа ТЕМА Художественная Ковка Металлов . Выполнил Студент 4к. 4гр. МТФ-ФТО Кочетков А.Ю. Научный Руковводитель ШУЯ 2004. План.

Курсовая Физика 25.01.2002

Полупроводниковые пластины

Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов