Жидкостное химическое травление

  • Добавили01.05.1996
  • Размер126,98 Kб
  • Скачали747
Сколько стоит заказать работу?

При жидкостном травлении металлов происходят окислительно-восстановительные реакции, а в случае неорганических оксидов - реакции замещения кислотно-основные. Травление SiO2. Амфорный или плавленый кварц это материал, в котором каждый атом кремния имеет тетраэдрическое окружение из четырех атомов кислорода.

В стеклообразных материалах могут сосуществовать как кристаллическая, так и аморфная фазы. Напыленный кварц представляет собой аморфный SiO2 из тэтраэдров SiO4. В процессе реакции травления элементарный фтор может легко замещать атом О в SiO2, так как фтор обладает меньшим ионным радиусом 0.

14 нм, чем SiO 16 нм. Энергия связи SiF в 1. 5 раза превышает энергию связи SiO.

Ниже перечислены основные достоинства аморфных пленок SiO2, применяемых в полупроводниковой электронике 1 хорошая диэлектрическая изоляция 2 барьер для ионной диффузии и имплантации 3 низкие внутренние напряжения 4 высокая степень структурного совершенства и однородности пленки 5 использование в качестве конформных покрытий, включая и покрытия ступенек 6 высокая чистота, однородная плотность и отсутствие сквозных пор. Аморфный SiO2 различных типов получают методами химического осаждения из паровой фазы, распыления, окисления в парах воды. Из-за внутренних напряжений оксиды, осажденные различными способами, имеют различия в строении ближнего порядка, которые влияют на скорость травления табл.

3. Таблица 3. Скорости травления SiO2 в буферном растворе 71 HF.

Метод получения оксида Относительная скорость травления мкммин Термоокисление в парах воды1 Анодный рост Пиролитический Распыление Легированный оксид 1. 0 8. 5 3-10 0.

5 3-51 Примерно 0. 1 мкммин 20оС. Травление SiO2 в водном растворе HF через фоторезистную маску протекает изотропно благодаря эффекту подтравливания, который усиливается частичным отслаиванием резиста.

Почти анизотропные вертикальные профили могут быть получены при использовании твердой и свободной от напряжений масок из Si3N4 рис. 9. Косые кромки получают при использовании 301 по весу раствора .

Скачать
Реферат Химия 16.06.2009

Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала...

«Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела» Минск, 2008 В соответствии с применяемыми средствами очистку делят на жидкостную и сухую. Жидкостная очистка выполняется органическими

Реферат Радиоэлектроника 02.07.2009

Технология изготовления СВЧ на ККБ "Искра"

Высокая надежность, устойчивость к разнообразным воздействиям, хорошая воспроизводимость параметров и низкая стоимость при массовом производстве, малые масса и габаритные размеры при требуемых электрических характеристиках. Возможность практически полной

Курсовая Металлургия 05.06.2007

Ковка металлов

Министерство Образования Российской Федерации Шуйский Государственный Педагогический Университет Кафедра Технологии Курсовая Работа ТЕМА Художественная Ковка Металлов . Выполнил Студент 4к. 4гр. МТФ-ФТО Кочетков А.Ю. Научный Руковводитель ШУЯ 2004. План.

Курсовая Физика 25.01.2002

Полупроводниковые пластины

Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Последние запросы


мукаддас ойлар ва мустажоб дуолар Радиопротекторы анализ рассказа чехова о любви проектирование разработка и внедрение новой техники и технологии Актиниды доходный подход оценки бизнеса виды деформации твёрдых тел Продвижение товара на рынок включает отчет по практике социальная защита организация оплаты труда гражданской авиации Результаты научных исследований как интеллектуальная собственность реализация проектного подхода в управлении муниципальным дошкольным образовательным учреждением институт правового администратирования совершенствования управления социальной сферой Подчинённый Вам говорит К сожалению я не смог привезти Вам положительный ответ из Министерства принтеры hp Опыт Франции Германии и Англии в становлении муниципальной собственности негроидная раса рекламная брошюра Гимнастика

Облако тегов