Жидкостное химическое травление

  • Добавили01.05.1996
  • Размер126,98 Kб
  • Скачали747
Сколько стоит заказать работу?

Энергии активации при этом порядка 7 - 20 ккалмоль. В случае r 1 травитель не имеет свободного доступа к поверхности и должен диффундировать сквозь барьерный слой рис. 7 и слой Гельмгольца необходимо учитывать также присутствие электрического поля рис.

5. Рис. 6.

Продукт Р не плотно покрывает поверхность, и реагент R имеет к ней доступ. Рис. 7.

Продукт Р полностью покрывает травящуюся поверхность и блокирует доступ к ней реагента R. Основные диффузионные модели были разработаны Фиком. Фундаментальным является предположение о том, что процессы диффузии и теплопроводности описываются одним и тем же типом уравнений.

На поверхности твердого тела существует граница концентрации рис. 8. Количество вещества dM, диффундирующее через поперечную площадку S за время dt, пропорционально S и, исходя из размерности dM, градиенту концентрации dCdx в точке x на поверхности твердого тела площадью S dMdt-DSdCdx, 18 где D - коэффициент диффузии в см2сек аналогично коэффициенту температуропроводности.

Предполагается, что поперечная площадки S не меняется в процессе травления. При жидкостном проявлении, однако, обычно происходит отрывание резиста, что Рис. 8.

Растворение твердого тела в жидком травителе. Растворенные молекулы диффундируют сквозь насыщенный слой в область меньшей концентрации. ведет к увеличению S.

При ионно-плазменном или реактивно-ионном травлении может происходить эрозия резиста. Из соотношения Эйнштейна-Стокса следует. что коэффициент диффузии D зависит от вязкости DRT, 19 dMdtскорость травления D 1, 20 DconstT, 21 expEvisRT, 22 EvisEetch.

23 Различают три основных типа твердофазного травления 1 химический процесс на поверхности идет медленно, и наблюдаемая скорость является скоростью поверхностного процесса r 1, уравнение 17 2 химический процесс на поверхности настолько быстр, что конвекция и диффузия не могут обеспечивать достаточной концентрации реагента у поверхности, r 1. Наблюдаемая скорость является скоростью переноса диффузии к поверхности 3 скорость диффузии и химической реакции одного порядка потребление реагента в реакции соизмеримо с его переносом в результате диффузии,.

Скачать
Реферат Химия 16.06.2009

Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала...

«Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела» Минск, 2008 В соответствии с применяемыми средствами очистку делят на жидкостную и сухую. Жидкостная очистка выполняется органическими

Реферат Радиоэлектроника 02.07.2009

Технология изготовления СВЧ на ККБ "Искра"

Высокая надежность, устойчивость к разнообразным воздействиям, хорошая воспроизводимость параметров и низкая стоимость при массовом производстве, малые масса и габаритные размеры при требуемых электрических характеристиках. Возможность практически полной

Курсовая Металлургия 05.06.2007

Ковка металлов

Министерство Образования Российской Федерации Шуйский Государственный Педагогический Университет Кафедра Технологии Курсовая Работа ТЕМА Художественная Ковка Металлов . Выполнил Студент 4к. 4гр. МТФ-ФТО Кочетков А.Ю. Научный Руковводитель ШУЯ 2004. План.

Курсовая Физика 25.01.2002

Полупроводниковые пластины

Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов