Жидкостное химическое травление

  • Добавили01.05.1996
  • Размер126,98 Kб
  • Скачали747
Сколько стоит заказать работу?

Ширина линии в скомпенсированной маске М, мкм Рис. 3. Связь компенсации уменьшение размеров окон в маске, необходимый при изотропном и анизотропном DL 2 травлении.

Для компенсации подтрава при изотропном жидкостном травлении размеры элемента на фотошаблоне следует уменьшать. На рис. 3 показана компенсация размера окон в шаблоне для разных степеней анизотропии травления.

Для обычного изотропного травления DL равно 1 без разрушения резиста и при хорошей адгезии. Для того чтобы ширина полосы была равна е, размер перенесенного в резист изображения r должен быть меньше на удвоенную величину бокового подтрава L rе-2L. 1 Рис.

4. В обоих случаях травление производится через маску Si3N4 толщиной 0. 25 мкм.

для получения 1-мкм линии при умеренно анизотропном травлении DL3 изображение в резисте следует делать на 0. 2 мкм меньше 1 мкм, а ширина элемента на шаблоне М должна быть увеличена примерно на 0. 05-0.

1 мкм для компенсации ухода размера при формировании резистной маски. Если же DL10, то полоса шириной 1 мкм может быть подтравлена через резистное окно шириной 0. 7 мкм.

разница в характеристиках компенсации размера изображения в резисте для сухого и жидкостного травления Si3N4 ясно видна на рис. 4. Термодинамика травления.

С точки зрения химии процесс травления можно представить схемой твердая фазатравительпродукты при этом к твердой фазе относят кремний, его оксиды и нитриды и многие металлы. Для межсоединений внутри кристалла обычно применяют Al и его сплавы с Si и Cu, причем основным материалом для первого уровня металлизации является Al табл. 1.

Слои оксидов кремния можно выращивать термически, наносить химическим способом или распылением,.

Скачать
Реферат Химия 16.06.2009

Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала...

«Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела» Минск, 2008 В соответствии с применяемыми средствами очистку делят на жидкостную и сухую. Жидкостная очистка выполняется органическими

Реферат Радиоэлектроника 02.07.2009

Технология изготовления СВЧ на ККБ "Искра"

Высокая надежность, устойчивость к разнообразным воздействиям, хорошая воспроизводимость параметров и низкая стоимость при массовом производстве, малые масса и габаритные размеры при требуемых электрических характеристиках. Возможность практически полной

Курсовая Металлургия 05.06.2007

Ковка металлов

Министерство Образования Российской Федерации Шуйский Государственный Педагогический Университет Кафедра Технологии Курсовая Работа ТЕМА Художественная Ковка Металлов . Выполнил Студент 4к. 4гр. МТФ-ФТО Кочетков А.Ю. Научный Руковводитель ШУЯ 2004. План.

Курсовая Физика 25.01.2002

Полупроводниковые пластины

Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов