Жидкостное химическое травление

  • Добавили01.05.1996
  • Размер126,98 Kб
  • Скачали746
Сколько стоит заказать работу?

Поликристаллический SiТаблица 7. Анизотропные травители для кремния. Травитель Применение Этиледиамин, пирокатехин, H7O Этиледиамин, пирокатехин Гидразин, ИПС, H2O КОН, sec-спирты КОН, этиленгликоль Диамины, КОН, ИПС КОН, ИПС, H2O R3NOH, ИПС, H2O R3NOH, поверхностно-активное ве-щество R3NOH H3PO4следы As2O3 CuF2, маска из резиста AZ-1350 100 SiO2, Si3N4, выявление точечных проколов 100, Al-маска 100 Текструрирование элементов солнеч-ных батарей Не разрушается Al 100 100 H2 Устранение Na из травителя n-тип Электролитическое травлениеТравление многослойных структур.

Травление различных слоев многослойной структуры проводится в одном травителе простого или сложного состава. Желательно пользоваться однокомпонентным травителем. Основная проблема заключается в выборе травителя, обеспечивающего одинаковую скорость травления всех слоев, что предотвращает образование елочного профиля.

Наиболее интенсивно изучалось травление сандвича Si3N4SiO2, равенство скоростей травления которого требуется для получения окон с гладкими наклонными стенками. Пленки Si3N4 травятся лишь в HF или в кипящей H3PO4 при 180оС. В столь жестких условиях ни один из органических резистов не выдерживает.

Травление Si3N4 в HF происходит по тому же закону, который определил Джадж для травления SiO2 Cкорость травленияАHFBHF2-C 37 Керн и Деккерт всесторонне рассмотрели травление Si3N4. В HF модно получить равные, но небольшие - около 10 нммин - скорости травления Si3N4 и SiO2 1 подбором температуры и 2 соотношения HFHF2 Скорость травления оксида можно снизить до 10 нммин, разбавляя 10-ную плавиковую кислоту. При низкой концентрации HF растворение SiO2 лимитируется не скоростью реакции, а диффузией 4 ккалмоль.

Подбирая температуру смеси фосфорной или фторборной кислот, можно довести скорости травления .

Скачать
Реферат Химия 16.06.2009

Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала...

«Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела» Минск, 2008 В соответствии с применяемыми средствами очистку делят на жидкостную и сухую. Жидкостная очистка выполняется органическими

Реферат Радиоэлектроника 02.07.2009

Технология изготовления СВЧ на ККБ "Искра"

Высокая надежность, устойчивость к разнообразным воздействиям, хорошая воспроизводимость параметров и низкая стоимость при массовом производстве, малые масса и габаритные размеры при требуемых электрических характеристиках. Возможность практически полной

Курсовая Металлургия 05.06.2007

Ковка металлов

Министерство Образования Российской Федерации Шуйский Государственный Педагогический Университет Кафедра Технологии Курсовая Работа ТЕМА Художественная Ковка Металлов . Выполнил Студент 4к. 4гр. МТФ-ФТО Кочетков А.Ю. Научный Руковводитель ШУЯ 2004. План.

Курсовая Физика 25.01.2002

Полупроводниковые пластины

Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов