Жидкостное химическое травление

  • Добавили01.05.1996
  • Размер126,98 Kб
  • Скачали747
Сколько стоит заказать работу?

При добавлении к реагентам 1000 ppm 1 ppm1часть на миллион ароматического пиразина достигалось увеличение энергии активации до 11 ккалмоль и селективности травления плоскостей 100 и 111 с 10 до 20. Травление кремния применяется также с диагностическими целями для выявления точечных проколов SiO2. Кремний, легированный бором, травится медленнее нелегированного кремния.

Рис. 15. Зависимость угла травления поликремния от содержания воды в травителе KOHспиртН2О.

Эффективность сглаживания поверхности поликремния в смеси KOH и спирта зависит от содержания воды в травителе. В безводных спиртах получаются изотропные профили. Степень анизотропии определяется содержанием воды в травители рис.

15. Изотропные травители для кремния перечислены в табл. 6.

Краткие сведения об анизотропных травителях для кремния приведены в табл. 7. Таблица 5.

Изотропное и анизотропное травление кремния. Травитель Скорость травления, мкммин Подтравливание мкмсторону1 PSESBSPSESBSИзотропный2 Изотропный3 Анизотропный43 0. 8 0.

74 0. 6 0. 94 0.

5 1. 11. 5d 1.

0d 0. 1-1. 0d1.

5d 1. 0d 0. 1d1.

5d 1. 0d 0. 1d1 d- глубина травления.

2 HNO3 65HF40NaNO2955 млг. 3 HNO365H2OHF40100406мл. 4 KOHH2On-пропанол15г5015 мл.

Таблица 6. Изотропные травители для кремния. Травитель Применение HF, HNO3, CH3COOH HF, HNO3, CH3COOH HF, KMnO4, CH3COOH HF, HNO3, H2O2NH4OH HF, HNO3, CH3COOH HF, HNO3 NH4F, H2O2 HF, HNO3, I2 HF, HNO3, CH3COOH HNO3, HBF4, NH4BF4 NH4F, H2O2, NH4HPO4 KOHспирт Все разновидности Si Низкоомный Si Эпитаксиальный Si Удаление примесей Cu pnp - многослойные структуры pnp - многослойные структуры Минимальное подтравливание Общее травление Подтравливание плоскости 100 Маска из резиста AZ-1350 Скорости травления, SiФСС21 .

Скачать
Реферат Химия 16.06.2009

Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала...

«Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела» Минск, 2008 В соответствии с применяемыми средствами очистку делят на жидкостную и сухую. Жидкостная очистка выполняется органическими

Реферат Радиоэлектроника 02.07.2009

Технология изготовления СВЧ на ККБ "Искра"

Высокая надежность, устойчивость к разнообразным воздействиям, хорошая воспроизводимость параметров и низкая стоимость при массовом производстве, малые масса и габаритные размеры при требуемых электрических характеристиках. Возможность практически полной

Курсовая Металлургия 05.06.2007

Ковка металлов

Министерство Образования Российской Федерации Шуйский Государственный Педагогический Университет Кафедра Технологии Курсовая Работа ТЕМА Художественная Ковка Металлов . Выполнил Студент 4к. 4гр. МТФ-ФТО Кочетков А.Ю. Научный Руковводитель ШУЯ 2004. План.

Курсовая Физика 25.01.2002

Полупроводниковые пластины

Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов