Жидкостное химическое травление

  • Добавили01.05.1996
  • Размер126,98 Kб
  • Скачали747
Сколько стоит заказать работу?

NH42SiF6 H2SiF6 NH4F NH42SiF6 HF 32 Добавление более сильных нуклеофильных веществ NH4Cl, -Br, -I ведет к увеличению скорости табл. 4, что свидетельствует о развитии процесса через нуклеофильное смещение. Таблица 4.

Влияние галогена на скорость травления SiO2. Буферный ионСкорость травления нмсек F- Cl- Br- I- 1. 0 2.

0 2. 3 3. 3 Травление кремния.

Травление кремния включает стадию окисления Si O SiO2 14ккалмоль 33 и последующее травление SiO2 6HF SiO2 H2SiF6 H2O - 11ккалмоль 31 В травителе HFHNO3 происходит реакция Si2HNO36HF H2SiF62HNO3 2H2O125ккалмоль 34 Для растворения каждого атома Si требуется две молекулы HNO3 и шесть молекул HF. Если реакция контролируется диффузией, то максимальная скорость травления должна достигаться при молярном соотношении HNO3 и HF, равном 13. Анализ зависимости Аррениуса для травления Si в HFHNO3 обнаруживает излом рис.

11, соответствующий изменению вида процесса от диффузионно-контролируемого к контролируемому скоростью реакции. Энергия активации диффузионно-контролируемого травления 6 ккалмоль определяется диффузией HF через слой продуктов реакции. Значение этой энергии при травлении, контролируемом скоростью реакции 4 ккалмоль, определяется окислением кремния.

Для диффузионно-контролируемого процесса произведение вязкость скорость постоянно уравнение 21. Для управления вязкостью добавляется ледяная уксусная кислота рис. 12.

Рис. 11. Зависимость скорости травления dMdt от величины 1000Т при травлении Si в HNO3HF.

Рис. 12. Зависимость произведения вязкости на скорость травления dMdt от температуры ля травления Si при использовании ледяной уксусной кислоты в качестве загустителя.

При изотропном травлении кремния используются маски из нетравящихся металлов Si3N4 или SiO2 иногда для неглубокого травления. Резист используется редко, так как HFHNO3 быстро проникает через пленку. Для травления кремния использовались также щелочные травители Si 2OH- H2O SiO2 2H2 35 Этилендиамин, гидразин и OH- действуют как окислители, а пирокатехин и спирты - как комплексообразующие агенты для SiO3.

Кроме того, водород может замедлить травление поликремния.

Скачать
Реферат Химия 16.06.2009

Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала...

«Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела» Минск, 2008 В соответствии с применяемыми средствами очистку делят на жидкостную и сухую. Жидкостная очистка выполняется органическими

Реферат Радиоэлектроника 02.07.2009

Технология изготовления СВЧ на ККБ "Искра"

Высокая надежность, устойчивость к разнообразным воздействиям, хорошая воспроизводимость параметров и низкая стоимость при массовом производстве, малые масса и габаритные размеры при требуемых электрических характеристиках. Возможность практически полной

Курсовая Металлургия 05.06.2007

Ковка металлов

Министерство Образования Российской Федерации Шуйский Государственный Педагогический Университет Кафедра Технологии Курсовая Работа ТЕМА Художественная Ковка Металлов . Выполнил Студент 4к. 4гр. МТФ-ФТО Кочетков А.Ю. Научный Руковводитель ШУЯ 2004. План.

Курсовая Физика 25.01.2002

Полупроводниковые пластины

Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов